外媒:三星計劃本月開設NAND快閃記憶體新研發中心

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據外媒《BusinessKorea》8月17日報道,三星預計將在今年內釋出236層NAND快閃記憶體產品。此外,三星還計劃在本月開設一個新的研發中心,該中心將負責開發更先進的NAND快閃記憶體產品。

自2020年三星推出176層第七代V-NAND快閃記憶體之後,三星目前的層數記錄是176層。

NAND廠商們正在競相增加其層數。SK海力士於今年8月初完成了業界最高238層4D NAND快閃記憶體研發,並計劃在2023H1量產。

美光科技於今年7月宣佈,公司已開發出232層NAND快閃記憶體產品,產品現已在美光新加坡工廠量產。未來,美光還將發力2YY、3XX與4XX等更高層數。

西部資料與鎧俠於去年合作開發出162層的BiCS6 FLASH™ 3D NAND,並計劃2022年底前開始量產。未來,西數/鎧俠將發力200+層(2XX層)快閃記憶體技術,2032年之前還將陸續推出300層以上、400層以上與500層以上快閃記憶體技術。

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