光刻機的三大誤區

語言: CN / TW / HK

1/ DUV和EUV被限,國內擴產邏輯破了?

光刻機大致分為兩類:

1) DUV深紫外線光刻機: 可以製備0.13um到28/14/7nm芯片;

2) EUV極紫外線光刻機: 適合7nm到5/4/3nm以下芯片。

目前情況下 DUV光刻機並不限制中國 ,還在正常供應 ,因為供應商主要來自於歐洲荷蘭的ASML以及 日本Nikon、佳能 ,並不直接受美國禁令,但EUV目前並未買到。

回顧光刻機的歷史 ,我們發現: DUV技術由日本和荷蘭獨立發展: 自2006年超越尼康成為全球光刻機龍頭以後,其行業領導地位維持至今。同時,由於核心浸沒式技術主要來自台積電,所以美國在DUV領域不具備統治地位,ASML向中國出貨DUV光刻機也無需得到美國授權。

EUV自出生就被美國從資本和技術層面全面掌控(與DUV有本質的不同): 1997年EUV LLC聯盟成立,由 英特爾和美國政府牽頭成。ASML在2007年收購美國Brion,獲取了光刻技術後,成功開啟併購美國光刻企業之路。至此,美國開始在EUV技術方面滲入ASML。 2012年,英特爾、三星、台積電共同買入ASML23%的股權,獲得了ASML光刻機的優先供貨權,成為了利益共同體。

2/ 有了光刻機就能造芯片?

其實光刻只是半導體 前道7大工藝環節 (光刻、刻蝕、沉積、離子注入、清洗、氧化、檢測) 中的一個環節 ,雖然是最重要的環節之一,但是離開了其他6個環節中的任何一個都不行。

集成電路的 製造工藝分為三大四小 ”工藝: 三大(75%): 光刻、刻蝕、沉積 四小(25%): 清洗、氧化、檢測、離子注入

一般情況下 光刻佔整條產線設備投資的30% ,與 刻蝕機 (25%)、 PVD/CVD/ALD (25%)並列成為最重要的 三大前道設備 之一,所以並不是有了光刻機就能造芯片,光刻只是芯片製造工藝流程的中的一個,還需要其他6大前道工藝設備的支撐, 其重要程度與光刻機同等重要。

3/ 中國最緊迫的是造出光刻機?

其實 目前中國並不缺光刻機缺的是其他6大類 被美國廠商把持的工藝設備(沉積、刻蝕、離子注入、清洗、氧化、檢測)。

中國半導體未來將從全部外循環,轉向外循環+內循環的雙循環架構,基於半導體是全球化深度分工的現實,外循環也就是團結 非美系設備商 依舊是重點和現實的選擇。

目前前道設備格局是:1) 光刻機: 由歐洲ASML和日本Nikon和Canon壟斷;2) 刻蝕、沉積、離子注入、清洗、氧化、檢測設備: 由美國和日本壟斷,其中檢測設備由美系的 KLA深度壟斷

所以現在中國半導體擴產大背景下的內外雙循環的當務之急是 依靠國產和聯合歐洲、日本 去替代 美國把持的非光刻設備 ,所以,與絕大多數人理解的不同, 中國半導體制造並不缺光刻機