台積電將於 2024 年取得高 NA EUV 光刻機,有助於 2nm 工藝量產

語言: CN / TW / HK

IT之家 9 月 16 日消息,台積電研究大將米玉傑博士透露,台積電將在 2024 年取得 ASML 下世代極紫外光微影設備(high-NA EUV),為客户發展相關的基礎設施與架構解決方案。

台積電業務開發副總裁張曉強之前曾經表示,取得設備後,初期主要用於與合作伙伴共同研究。

從之前公佈的信息來看,High-NA EUV 光刻設備的單價估計為 4 億美元(約 28 億元人民幣),是現有 EUV 光刻設備的兩三倍

IT之家曾報道,三星電子副董事長李在鎔此前與 ASML 公司就引進該荷蘭半導體設備製造商的下一代極紫外(EUV)光刻設備進行了會談, 並就引進今年生產的 EUV 光刻設備和計劃於明年推出的高數值孔徑(High-NA)EUV 光刻設備達成了協議

今年早些時候,英特爾還宣佈已簽署合同購買 5 台這種設備(TWINSCAN NXE:3600D),用於在 2025 年生產 1.8 納米芯片。台積電也在 6 月 16 日的美國硅谷技術研討會上表示,它將在 2024 年在全球首次將 High-NA EUV 光刻設備引入其工藝。

就目前來看,先進光刻技術是衡量芯片製造上限的關鍵因素,而這種 High-NA 光刻技術有望降低 66% 的尺寸大小。而在芯片製造領域,雖然目前的 3nm、5nm 已經不代表實際柵極寬度,但肯定還是越小越好。

據悉,這款新型 EUV 系統可實現 0.55 數值孔徑,與此前配備 0.33 數值孔徑透鏡的 EUV 系統(TWINSCAN NXE:3400B 和 NXE:3400C)相比,精度會有所提高,可以實現更高分辨率的圖案化。

據悉,目前 ASML 每台機器的成本高達 1.6 億美元,而各大芯片製造商還計劃在未來幾年投資逾 1000 億美元建造額外的製造廠,以滿足進一步的半導體需求。

官方曾透露,這種 High-NA 機器將比現有機器大 30%,而之前的機器已經大到難以想象,甚至需要三架波音 747 來裝載它們。

台積電此前宣佈,其目標是在 2025 年量產其 N2 工藝,與 3nm 製程節點不同,2nm 製程節點將使用 Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管,台積電稱相比 3nm 工藝會有 10% 到 15% 的性能提升,還可以將功耗降低 25% 到 30%。預計 N2 工藝於 2024 年末將做好風險生產的準備,並在 2025 年末進入大批量生產,客户在 2026 年就能收到首批芯片。

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