華為新型3D DRAM成果亮相積體電路國際頂會

語言: CN / TW / HK
時間 2022-05-23 10:43:18

集微網訊息，據外媒報道，華為公司將於積體電路領域頂會-VLSI Symposium 2022上，發表其與中科院微電子研究所合作開發的3D DRAM技術。

報道稱，華為與中科院方面開發了基於銦鎵鋅氧（IGZO）材料的CAA（Channel-All-Around）構型電晶體，具有出色的溫度穩定性和可靠性。

根據此前報道，在去年舉辦的IEDM 2021上，中科院微電子所李泠研究員團隊聯合華為/海思團隊，首次提出了新型垂直環形溝道器件結構（CAA），該結構有效減小了器件面積，且支援多層堆疊，通過將上下兩個CAA器件直接相連，每個儲存單元的尺寸可減小至4F2，使IGZO-DRAM擁有了密度優勢，有望克服傳統1T1C-DRAM的微縮挑戰。（校對/樂川）

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