美光宣告232層3D-NAND即將到來,未來十年的路線圖將超過400層

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集微網訊息,當地時間5月17日,據eeNews報道,美光科技公司表示,它將於今年晚些時候開始出貨其下一代 3D-NAND 記憶體元件,即 232 層裝置。

美光負責技術和產品的執行副總裁Scott DeBoer披露了未來十年的3D-NAND路線圖,該路線圖將超過400層。

圖源:美光

在3D-NAND 生產中,美光已經在 96 層和 176 層快閃記憶體晶片上佔據強勢地位。DeBoer 表示,該公司將在 2022 年晚些時候開始增加 232 層快閃記憶體的製造規模。這將使該公司在市場上具備明顯的領先優勢。

該公司展示了一款帶有三層單元的1Tbit 3D-NAND儲存器晶片,但DeBoer表示,美光的重點將包括保持每個單元4bit的領先地位。

該儲存器將包括CMOS下的陣列技術和雙堆疊機制。DeBoer還稱,與176層的版本相比,232層的版本將提供更高的密度、功率和頻寬,效能細節將在後期公佈。

此外,基於更高容量3D-NAND器件的固態硬碟預計將在2023年推出。

(校對/隱德萊希)

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