美光宣告232層3D-NAND即將到來，未來十年的路線圖將超過400層

集微網訊息，當地時間5月17日，據eeNews報道，美光科技公司表示，它將於今年晚些時候開始出貨其下一代 3D-NAND 記憶體元件，即 232 層裝置。

美光負責技術和產品的執行副總裁Scott DeBoer披露了未來十年的3D-NAND路線圖，該路線圖將超過400層。

圖源：美光

在3D-NAND 生產中，美光已經在 96 層和 176 層快閃記憶體晶片上佔據強勢地位。DeBoer 表示，該公司將在 2022 年晚些時候開始增加 232 層快閃記憶體的製造規模。這將使該公司在市場上具備明顯的領先優勢。

該公司展示了一款帶有三層單元的1Tbit 3D-NAND儲存器晶片，但DeBoer表示，美光的重點將包括保持每個單元4bit的領先地位。

該儲存器將包括CMOS下的陣列技術和雙堆疊機制。DeBoer還稱，與176層的版本相比，232層的版本將提供更高的密度、功率和頻寬，效能細節將在後期公佈。

此外，基於更高容量3D-NAND器件的固態硬碟預計將在2023年推出。

（校對/隱德萊希）