彎道超車臺積電 三星30日量產3nm工藝:良率超預期

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6月28日,據韓國日報訊息,三星將在6月30日宣佈量產3nm工藝,此舉也意味著三星在新一代工藝節點上彎道超車臺積電,後者預計今年下半年才會量產3nm工藝。

3nm工藝的具體詳情還沒公佈,但是之前導致三星被質疑的良率問題應該已經解決, 韓國分析師、HMC投資證券公司研究中心主管Greg Roh日前透露稱,三星的3nm工藝良率提升速度遠高於市場預期、新增客戶速度相當快。

根據他的資料,三星晶圓代工業務將成長40%左右、高於業界整體25%的增幅水平。

按照三星去年公佈的資訊,3nm節點也分為3GAE及3GAP,前者主要是三星自己用, 後者首次使用GAA電晶體,面向外部代工客戶。

根據三星的說法,與7nm製造工藝相比,3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上,功耗降低了50%,效能提高了約35%,紙面引數上來說卻是要優於臺積電3nm FinFET工藝。

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