彎道超車臺積電 三星30日量產3nm工藝：良率超預期

6月28日，據韓國日報訊息，三星將在6月30日宣佈量產3nm工藝，此舉也意味著三星在新一代工藝節點上彎道超車臺積電，後者預計今年下半年才會量產3nm工藝。

3nm工藝的具體詳情還沒公佈，但是之前導致三星被質疑的良率問題應該已經解決， 韓國分析師、HMC投資證券公司研究中心主管Greg Roh日前透露稱，三星的3nm工藝良率提升速度遠高於市場預期、新增客戶速度相當快。

根據他的資料，三星晶圓代工業務將成長40%左右、高於業界整體25%的增幅水平。

按照三星去年公佈的資訊，3nm節點也分為3GAE及3GAP，前者主要是三星自己用， 後者首次使用GAA電晶體，面向外部代工客戶。

根據三星的說法，與7nm製造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，效能提高了約35%，紙面引數上來說卻是要優於臺積電3nm FinFET工藝。